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Si Wafer <100>, 2″, 325µm, N-type doped P, P/E

Réf. 1544852685

Substrats

Si Wafer <100>, 2″, 280µm, Undoped, P/E

Réf. 1544852684

Substrats

Si Wafer <110>, 2″, 280µm, P-type B doped, DSP

Réf. 1544852680

Substrats

Si Wafer <100>, 2″, 280µm, P-type B doped, DSP

Réf. 1544852682

Substrats

Si Wafer <100>, 2 », 280µm, P-type B doped, P/E

Réf. 1544852681

Substrats

InSb-Indium Antimonide wafer <100>,2 », 500µm, Undoped, E/P

Réf. 1544852680

Substrats

Indium Phosphide wafer <100>,2 »,350µm, Undoped SSP

Réf. 1544852679

Substrats

Gallium Phosphide Wafers<100>,2 », 350µm,Undoped

Réf. 1544852678

Substrats

Gallium Arsenide Wafers<100>,100mm, 625µm,Undoped,DSP

Réf. 1544852677

Substrats

Gallium Arsenide Wafers<110>,50.8mm, 400µm,Undoped,SSP

Réf. 1544852676

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